U-MOS IX-H, nuova generazione di MOSFET a bassa tensione

U-MOS_Toshiba

I nuovi MOSFET offrono la migliore cifra di merito RDS(ON)*QOSS (resistenza di conduzione per carica di uscita) oggi disponibile per questa classe di dispositivi. Inizialmente offerta con una tensione nominale da 40 V, la serie verrà arricchita nei mesi a venire con dispositivi da 30 V a 60 V. Il primo dispositivo annunciato ha una RDS(ON) tipica di soli 0,7 mΩ (max 0,85 mΩ) e una capacità di uscita tipica (Coss) pari a 1930 pF. Con una tensione nominale di 40 V, il modello TPHR8504PL è fornito in un contenitore ultra-miniaturizzato SOP-Advance di soli 5 mm x 6 mm.

Tra i possibili impieghi della serie U-MOS di nona generazione vi sono convertitori DC-DC, raddrizzatori sincroni e altri circuiti di gestione della potenza che richiedono bassi consumi operativi, commutazioni veloci e il minimo ingombro su scheda.

I MOSFET U-MOS IX-H sono l’ideale per effettuare la commutazione sul ramo superiore (high-side) e inferiore (low-side) dei circuiti a ponte utilizzati in convertitori DC-DC e nei raddrizzatori sincroni sul secondario dei circuiti di conversione AC-DC. Grazie al miglioramento del prodotto RDS(ON)*A, la tecnologia U-MOS IX-H permette di ottenere un ridimensionamento del die del 65% a parità di RDS(ON) – o una riduzione della RDS(ON) del 65% a parità di dimensioni del die – rispetto alla precedente generazione UMOS VI-H da 40 V.

Inoltre, il migliore compromesso tra carica di uscita (Qoss) e RDS(ON) produce una maggiore efficienza. Pertanto, i MOSFET U-MOS IX-H possono contribuire, già in fase di progetto, a ridurre i consumi e le dimensioni delle apparecchiature.

I progettisti potranno scegliere tra una varietà di contenitori a montaggio superficiale e, in futuro, anche optare per una versione con raffreddamento a doppia faccia.

www.toshiba-components.com 

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