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International Rectifier ha ampliato la sua gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) con l’introduzione di una famiglia di robusti e affidabili dispositivi da 650 V ottimizzati per la commutazione ad alta velocità, che si rivelano particolarmente adatti per applicazioni nel campo degli inverter solari, saldatrici elettriche, azionamenti industriali, riscaldamento a induzione e gruppi di continuità (UPS).
Con una corrente nominale disponibile da 15 A a 90 A, la famiglia di IGBT IRGP47xx sfrutta la tecnologia dei wafer sottili per ridurre le perdite di conduzione e di commutazione migliorando l’efficienza energetica del sistema. Forniti sotto forma di dispositivi discreti o inseriti nello stesso contenitore con un diodo di recupero a basso Qrr, questi nuovi IGBT sono ottimizzati per funzionare a frequenze di commutazione elevatissime (8 kHz-30 kHz), con una durata del corto-circuito sopportato estesa a 6 µs e coefficiente di temperatura positivo della tensione VCE(ON) per facilitarne il collegamento in parallelo. La tensione di rottura più elevata offre un’ancora maggiore affidabilità per sopportare condizioni metereologiche estreme e instabilità sulla linea di alimentazione elettrica, eliminando la necessità di inserire dispositivi di soppressione dei transitori di tensione.
Adatta per una vasta gamma di frequenze di commutazione, la famiglia di dispositivi IRGP47xx ha una bassa tensione VCE(ON) di 1,7V (tipica) a 100°C e una bassa energia totale di commutazione (ETS), che riduce la dissipazione di potenza. Offerta sotto forma di componenti inseriti in un contenitore, ha tra le altre caratteristiche una temperatura di giunzione massima di 175°C e un basso livello di EMI che ne migliora l’affidabilità.
Le schede tecniche e uno strumento online per la selezione degli IGBT sono disponibili sul sito web di International Rectifier all’indirizzo www.irf.com. Lo strumento di selezione può essere utilizzato direttamente all’indirizzo mypower.irf.com/IGBT. Per informazioni sui prodotti disponibili sotto forma di die, contattare [email protected].
Specifiche tecniche:
IGBT Discreti
Part Number | ContenitoreJedec | BVCES[V] | IC(100°C)[A] | VCEON[V] | Velocità |
IRGP4760 | TO-247 | 650 | 60 | 1.7 | Ultrafast |
IRGP4790 | TO-247 | 650 | 90 | 1.7 | Ultrafast |
IGBT e diodo di recupero a basso Qrr nello stesso contenitore
Part Number | ContenitoreJedec | BVCES[V] | IC(100°C)[A] | VCEON[V] | Velocità |
IRGS4715D | D2PAK | 650 | 15 | 1.7 | Ultrafast |
IRGB4715D | TO-220 | 650 | 15 | 1.7 | Ultrafast |
IRGP4740D | TO-247 | 650 | 40 | 1.7 | Ultrafast |
IRGP4750D | TO-247 | 650 | 50 | 1.7 | Ultrafast |
IRGP4760D | TO-247 | 650 | 60 | 1.7 | Ultrafast |
IRGP4790D | TO-247 | 650 | 90 | 1.7 | Ultrafast |