Nuovi MOSFET small-signal a basso RDSon per automotive da NXP


NXP_Audi-420x300 Nuovi MOSFET small-signal a basso RDSon per automotive da NXP

NXP ha da poco introdotto 10 MOSFET small-signal low RDSon adatti per soluzioni automobilistiche, nei package DFN2020MD.6, SOT23 e SOT457. Basati sulla tecnologia Trench, i nuovi prodotti offrono una tensione VDS di 20-80V, protezione ESD fino a 4kV HBM e resistenza drain-source sotto i 27 mΩ.

Inoltre, i tre tipi contenuti nel package DFN2020MD-6 offrono la caratteristica unica di elementi laterali saldabili a stagno per le ispezioni di saldatura ottica, e un pad di scarico a vista per una ottima conduzione termica.

Tutti i prodotti sono qualificati  e adatti per progetti di efficienza energetica in applicazioni come relay e driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico high-side e low-side e circuiti di commutazione.

Caratteristiche   

  • RDSon bassa fino a 27 mΩ
  • MOSFET a tecnologia Trench
  • Protezione ESD fino a 4kV in accordo con HBM
  • Qualificato AEC-Q101

Principali applicazioni

  • Driver di relay
  • Driver di linea ad alta velocità
  • Interruttori di carico low-side e high-side
  • Circuiti commutatori

www.nxp.com

 

 

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