Gen8, la nuova famiglia di IGBT da 1200 V di IR per applicazioni industriali

IR_Gen8

International Rectifier, ha presentato una nuova piattaforma tecnologica per la realizzazione di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). La piattaforma di ottava generazione (Gen8) per la realizzazione di IGBT da 1200 V sfrutta le più recenti tecnologie di produzione con “trench gate Field-Stop” e i contenitori standard in formato TO-247 per garantire le migliori prestazioni sul mercato per le applicazioni industriali e il risparmio energetico.

I nuovi dispositivi della serie Gen8 sono disponibili con correnti nominali da 8 A fino a 60 A con tensione VCE(ON) tipica di 1,7 V e resistenza al corto circuito per 10 µs, caratteristiche che permettono di aumentare la densità di potenza e di garantire la massima robustezza.

Con lo sviluppo di questa nuova piattaforma tecnologica di riferimento per realizzare transistor IGBT in silicio che rappresentano il meglio sul mercato, IR conferma il suo decennale impegno nel miglioramento delle tecnologie di base dell’elettronica di potenza. Il nostro obiettivo è far sì che il 100 % dei motori elettrici vengano pilotati da inverter, affinché si possa sfruttare in modo più efficiente l’energia elettrica e vivere in un mondo più sostenibile,” afferma Alberto Guerra, Vice President Strategic Marketing della business unit Energy Saving.

La nuova tecnologia offre delle caratteristiche di spegnimento del transistor più soft, che sono ideali per il pilotaggio dei motori, in quanto minimizzano il gradiente dv/dt per ridurre le interferenze elettromagnetiche e le sovratensioni, migliorando l’affidabilità e la robustezza dei dispositivi. Inoltre, una più limitata variazione dei parametri caratteristici permette un’efficiente ripartizione della corrente quando più IGBT vengono collegati in parallelo per realizzare moduli di potenza ad alta corrente. La tecnologia a wafer sottile offre anche un miglioramento della resistenza termica e la possibilità di funzionamento con temperature di giunzione fino a 175°C.

La piattaforma IGBT Gen8 di IR costituisce una soluzione tecnologica superiore per le applicazioni in ambito industriale. Con la migliore Vce(on) possibile, elevata robustezza ed eccellenti caratteristiche di commutazione, questa piattaforma per IGBT è stata specificatamente ottimizzata per soddisfare le esigenze avanzate del mercato industriale,” afferma Llewellyn Vaughan-Edmunds, IGBT Product Marketing Manager, della business unit Energy Saving Products di IR.

www.irf.com

 

 

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