TBD62xxxA, nuova generazione di array di transistor ad alta efficienza con tecnologia DMOS FET

DMOSArray
Photo Credit: Toshiba Electronics Europe

Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova generazione di array di transistor ed elevata efficienza realizzati con la tecnologia dei MOSFET a doppia diffusione (DMOS FET). La nuova serie di array TBD62xxxA rappresenta l’erede della ben nota serie di array di transistor bipolari TD62xxxA, largamente diffusa in applicazioni quali il pilotaggio di motori, relè e LED. I prodotti della nuova serie TBD62xxxA sono compatibili con quelli la serie TD62xxxA, sia per funzionalità offerte, sia come schema di piedinatura.

L’impiego di un circuito di pilotaggio con uscita a transistor DMOS FET permette alla nuova serie di dispositivi di soddisfare i più stringenti requisiti di efficienza e basse perdite di potenza attualmente richiesti dal mercato, grazie al fatto che il DMOS FET non richiede di fatto alcuna corrente di base per il suo pilotaggio. La resistenza di conduzione è molto bassa e lo stadio di uscita può lavorare con tensioni e correnti nominali massime di 50 V / 0,5 A.

Questo tipo di approccio permette alla serie di array di transistor TBD62xxxA di ridurre le perdite di potenza di circa il 40% rispetto alla precedente serie di array di transistor bipolari TD62xxxA (Ta = 25°C e IOUT = 200 mA).

Toshiba ha scelto di utilizzare la tecnologia BiCD nella realizzazione della nuova serie poiché permette di integrare all’interno dello stesso dispositivi transistor bipolari, CMOS e DMOS. La serie di nuova generazione comprende 24 prodotti conformi a diverse tensioni VIN(ON) standard.

Il dispositivo TBD62003A ha una tensione di soglia VIN(ON) minima di 14 V adatta a supportare segnali di ingresso PMOS da 14 V a 25 V. Il dispositivo TBD62503A ha una tensione di soglia VIN(ON) minima di 2,5 V che supporta i segnali di ingresso a livello TTL  e i segnali CMOS con livelli da 3 V / 5 V. Il dispositivo TBD62004A ha una tensione di soglia VIN(ON) minima di 7,0 V che supporta segnali di ingresso PMOS da 6 V a 15 V e segnali CMOS da 5 V.

I nuovi array di transistor saranno disponibili in contenitori adatti a un’ampia gamma di esigenze, tra cui DIP, SOP/SOL per montaggio superficiale e piccoli SSOP (passo da 0,65 mm) per ridurre lo spazio su scheda. L’inizio della produzione di massa della linea completa di prodotti è previsto per il secondo semestre del 2015.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

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