TJ200F04M3L, MOSFET a canale P da -40 V per applicazioni automobilistiche da Toshiba


MosfetP_Toshiba-420x300 TJ200F04M3L, MOSFET a canale P da -40 V per applicazioni automobilistiche da Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha presentato un nuovo transistor MOSFET a canale P da -40 V ideale per essere utilizzato in diverse applicazioni automobilistiche, come la protezione contro l’inversione di polarità della batteria e il controllo del motore. Il dispositivo TJ200F04M3L è stato progettato appositamente per  ridurre le perdite nello stato di conduzione ed è conforme ai requisiti qualitativi definiti nello standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Questo nuovo MOSFET di potenza offre la più bassa resistenza di ON oggi disponibile per dispositivi di queste classe grazie a un chip fabbricato con il processo a trincea U-MOS VI di Toshiba, ed è inserito all’interno di un contenitore TO-220SM (W) che utilizza un connettore in rame. La bassa resistenza di conduzione del nuovo prodotto contribuisce a ridurre le perdite di conduzione nei dispositivi elettronici.

Il dispositivo TJ200F04M3L offre i seguenti valori massimi assoluti: VDSS = -40 V, ID = -200 A e RDS(ON) max = 1,8 mΩ per VGS = 10 V. Il MOSFET di potenza può funzionare con una temperatura massima di canale di 175 °C.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

 

Lascia un commento

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *

Questo sito usa Akismet per ridurre lo spam. Scopri come i tuoi dati vengono elaborati.