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TK1R4S04PB, nuovo MOSFET DPAK+ da 40 V certificato AEC-Q101


DPAK_Toshiba-420x300 TK1R4S04PB, nuovo MOSFET DPAK+ da 40 V certificato AEC-Q101

Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di MOSFET UMOS9 con l’aggiunta di un nuovo MOSFET a canale N da 40 V disponibile nell’innovativo contenitore DPAK+. Il nuovo dispositivo TK1R4S04PB ha ottenuto la certificazione AEC-Q101 ed è progettato per azionare impianti automobilistici come la pompa dell’acqua, la pompa carburante, la pompa dell’olio, le ventole, il servosterzo elettronico e i convertitori DC/DC.

Il nuovo MOSFET offre una resistenza di conduzione RDS(ON) pari a 1,35 mΩ (max) a VGS = 10 V, in assoluto la minima RDS(ON) di tutti i MOSFET oggi in commercio. Questo traguardo è stato ottenuto combinando l’avanzata tecnologia di processo UMOS9 a trincea, che minimizza il prodotto RDS(ON) x A, con il contenitore DPAK+, che riduce la resistenza termica rispetto al tradizionale contenitore DPAK.

Il contenitore DPAK+ è compatibile con i normali formati DPAK, ha dimensioni di appena 6.5 mm x 9.5 mm e sfrutta la tecnologia di connessione interna copper-clip, che sostituisce le tradizionali connessioni bondwire con contatti a clip in rame, caratterizzati da un’ampia superficie di contatto e collegati direttamente allo strato di metallizzazione del chip.

Il nuovo MOSFET offre anche prestazioni migliori rispetto ai dispositivi della generazione precedente in termini di compatibilità elettromagnetica (EMC) e velocità di commutazione.

www.toshiba.semicon-storage.com

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