MOSFET a canale N da 800 V e 900 V con una bassa RDS(ON)  da Toshiba


TOSHIBA_LEDFlyBack-420x300 MOSFET a canale N da 800 V e 900 V con una bassa RDS(ON)  da Toshiba

Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova gamma di MOSFET ad alta velocità e alta tensione estremamente efficienti per realizzare regolatori di tensione a commutazione (switching). Disponibili nelle versioni con tensioni nominali di 800 V e 900 V, i quattro dispositivi a canale N hanno una resistenza di conduzione (RDS(ON)) tipica che arriva fino a soli 1,9 Ω. Si tratta di dispositivi particolarmente adatti per realizzare applicazioni come convertitori flyback per lampade a LED, gruppi di continuità e altri circuiti che richiedono una corrente di commutazione inferiore a 5 A.

I nuovi MOSFET ad arricchimento si basano sul processo planare Toshiba π-MOS VIII (Pi-MOS-8) di ottava generazione, che combina elevati livelli di integrazione delle celle con un design ottimizzato delle celle. Questa tecnologia supporta una minore carica di gate e una capacità più piccola, senza la perdita dei vantaggi di una bassa RDS(ON).

Questi MOSFET sono dei dispositivi per applicazioni a bassa corrente che vanno ad aggiungersi all’attuale gamma Toshiba DTMOS IV di dispositivi DTMOS4 a supergiunzione da 800 V. Il modello TK3A90E da 2,5 A e il modello TK5A90E 4,5 A offrono una VDSS nominale di 900 V e hanno resistenze di conduzione RDS(ON) con valore tipico di 3,7 Ω e 2,5 Ω. Entrambi i dispositivi, TK4A80E da 4,0 A e TK5A80E 5,0 A, offrono valori nominali di VDSS pari a 800 V con valori rispettivi di RDS(ON) pari a 2,8 Ω e 1,9 Ω.

I nuovi MOSFET di Toshiba garantiscono anche una bassissima corrente massima di perdita, di soli 10 μA (VDS = 60 V), e una tensione di soglia del gate compresa nell’intervallo da 2,5 V a 4,0 V (quando VDSè pari a 10 V e la corrente di drain è di 0,4 mA). Tutti i dispositivi vengono forniti in un normale contenitore TO-220SIS.

http://toshiba.semicon-storage.com

 

 

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