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RDSon senza confronti per il nuovo MOSFET Toshiba da 40 V a canale N per automotive


TKR7_Toshiba-420x300 RDSon senza confronti per il nuovo MOSFET Toshiba da 40 V a canale N per automotive

Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza destinati ad applicazioni automobilistiche con un nuovo dispositivo da 40 V a canale N a bassa resistenza di conduzione inserito in un contenitore TO-220SM(W). Il transistor TKR74F04PB è particolarmente adatto per realizzare applicazioni automobilistiche di diverso tipo ad alta potenza, come convertitori DC-DC, servosterzo elettrico e interruttori di carico.

Il dispositivo TKR74F04PB offre una RDS(on) senza confronti nel mercato dei transistor in contenitore SMD a 3 pin per autoveicoli. I bassi valori di resistenza (0,6 mΩ tipico / 0,74 mΩ max.) sono stati ottenuti combinando il nuovo processo a trincea Toshiba ‘U-MOS IX’ di nona generazione con l’esclusivo contenitore Toshiba TO-220SM(W). Quest’ultimo possiede un contatto di source più ampio e più corto rispetto ai tradizionali contenitori D2PAK (TO-263) e contribuisce a ridurre le dimensioni del dispositivo grazie a un ingombro superficiale più piccolo.

Il transistor MOSFET TKR74F04PB risulta anche conforme ai requisiti definiti nello standard AEC-Q101 per il settore automobilistico.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

 

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