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MRF1K50H, transistor di potenza RF da 1500 W


MRF1K50H MRF1K50H, transistor di potenza RF da 1500 W

NXP Semiconductors ha presentato il transistor RF più potente disponibile sul mercato, indipendentemente dalla tecnologia e dalla frequenza. Progettato per offrire 1,5 kW CW a 50V, il dispositivo MRF1K50H contribuisce a ridurre il numero dei transistor utilizzati negli stadi RF di alta potenza nonché le dimensioni dell’amplificatore e i componenti utilizzati. MRF1K50H opera fino a 500 MHz per una vasta gamma di applicazioni, dai trasmettitori radiofonici e televisivi VHF a quelli per radioamatori, dalle saldatrici industriali agli acceleratori di particelle nei sistemi laser e al plasma.

Come tutti i transistor LDMOS di potenza, il MRF1K50H è in grado di reggere rapporti VSWR sino a 65:1, assorbendo una quantità di energia riflessa superiore del 50% rispetto al suo predecessore  MRFE6VP61K25H da 1,25 kW. Questo livello di robustezza aumenta l’affidabilità, il che rende il transistor una valida alternativa ai tubi a vuoto.

Il MRF1K50H è alloggiato in un package ceramico standard e le sue caratteristiche sono compatibili coi transistor di alta potenza esistenti oggi sul mercato tanto che possono essere utilizzati gli stessi layout del PCB.

Questo nuovo transistor fornisce ai progettisti RF un dispositivo RF che presenta la più alta potenza disponibile sul mercato nonché la maggior capacità di assorbire l’energia riflessa mantenendo la compatibilità circuitale con i modelli precedenti,” ha dichiarato Pierre Piel senior director for RF power industrial technologies presso NXP. “Il modello MRF1K50H migliora l’affidabilità dei sistemi  industriali che operano negli ambienti più difficili.”

Ancora maggiore affidabilità può essere realizzato con la versione in plastica sovrastampato del transistore, il modello MRF1K50N, che riduce la resistenza termica del 30 per cento rispetto al MRF1K50H. La tecnologia di packaging di NXP consente di incrementare le prestazioni dei transistor RF, semplifica le fasi di costruzione e garantisce elevate tolleranze dimensionali e ottima saldabilità dei terminali.

Entrambe le versioni garantiscono un’efficienza dell’80% a 100 MHz, un guadagno di 23,5 dB e una tensione di rottura di ben 135V. Una volta in produzione, i transistor saranno parte del programma Product Longevity Program di NXP, assicurando la disponibilità di prodotto per almeno 15 anni.

MRF1K50H e MRF1K50N sono attualmente disponibili come campioni mentre la produzione in volumi è prevista a partire dal mese di luglio 2016.

www.nxp.com

 

 

Arsenio Spadoni

Journalist, ElettronicaIn Publisher & Founder, Futura Elettronica Founder,

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