IGBT da 1200 V basati sulla terza generazione della tecnologia Ultra Field Stop Trench


ONSemiIGBT-420x300 IGBT da 1200 V basati sulla terza generazione della tecnologia Ultra Field Stop Trench

ON Semiconductor ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) che utilizzano la tecnologia proprietaria Ultra Field Stop Trench dell’azienda. I componenti NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG e NGTB40N120L3WG sono progettati per fornire livelli elevati di prestazioni operative allo scopo di soddisfare i stringenti requisiti delle moderne applicazioni a commutazione. Questi dispositivi da 1200 volt sono in grado di offrire caratteristiche di punta sul mercato in termini di perdite di commutazione (Ets); il notevole miglioramento delle prestazioni è attribuibile sia alla presenza di uno strato field-stop altamente attivato, sia al diodo ottimizzato integrato nel package.

Il dispositivo NGTB40N120FL3WG presenta una Ets di 2.7 millijoule (mJ), mentre l’NGTB25N120FL3WG ha una Ets di 1,7 mJ. Entrambi i dispositivi sono caratterizzati da una VCEsat di 1,7 V in corrispondenza dei rispettivi valori di corrente massima. L’NGTB40N120L3WG è ottimizzato per basse perdite di conduzione e ha una VCEsat di 1,55 V, in corrispondenza della massima intensità di corrente, con una Ets di 3 mJ. I nuovi prodotti basati sulla tecnologia Ultra Field Stop sono forniti integrati in un unico package con un diodo a recupero rapido, che presenta caratteristiche di spegnimento controllato pur assicurando perdite minime di recupero inverso. L’NGTB25N120FL3WG e l’NGTB40N120FL3WG sono particolarmente indicati per l’utilizzo nei gruppi di continuità (UPS) e negli inverter, mentre l’NGTB40N120L3WG è principalmente pensato per l’uso negli azionamenti dei motori.

Grazie ai nostri nuovi IGBT Ultra Field Stop, unitamente ai diodi ottimizzati a recupero rapido, siamo in grado di raggiungere la giusta combinazione di prestazioni che bilancia perfettamente VCEsat ed Ets, portando così ad una riduzione delle perdite di commutazione e ad una migliore efficienza energetica in applicazioni di tipo hard-switching, su un’ampia gamma di frequenze di commutazione. Allo stesso tempo essi continuano ad offrire le caratteristiche di robustezza e di economicità che gli ingegneri si aspettano dagli IGBT,” afferma Asif Jakwani, direttore senior e responsabile generale della Divisione Dispositivi di Potenza Discreti presso On Semiconductor.

I dispositivi NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG ed NGTB40N120L3WG  sono tutti forniti in alloggiamenti TO−247 conformi alla direttiva RoHS.

www.onsemi.com

 

 

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