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CSD18541F5, MOSFET di potenza FemtoFET con RDSon del 90% inferiore


NEXFET_TI-420x300 CSD18541F5, MOSFET di potenza FemtoFET con RDSon del 90% inferiore

Texas Instruments ha presentato un nuovo dispositivo di potenza FemtoFET da 60 V a canale N caratterizzato dalla resistenza più bassa del settore, ovvero del 90 per cento inferiore rispetto agli interruttori di carico tradizionali a 60 V; questo permette di ridurre la perdita di potenza nei sistemi finali. Il CSD18541F5 viene offerto in un minuscolo package da 1,53 mm per 0,77 mm a base di silicio con un ingombro dell’80 per cento inferiore rispetto agli interruttori di carico forniti nei package SOT-23.

Il transistor a effetto di campo a struttura metallo-ossido-semiconduttore CSD18541F5 (MOSFET) presenta una resistenza tipica quando attivo (Rdson) di 54 mΩ ed è progettato e ottimizzato per sostituire i MOSFET standard per piccoli segnali in applicazioni industriali per commutazione di carico in spazi limitati. Il piccolissimo package LGA (land grid array) è caratterizzato da un pitch su scheda di 0,5 mm per un facile montaggio.

Il CSD18541F5 espande il portafoglio tecnologico NexFET di MOSFET FemtoFET di TI per includere tensioni più elevate e ingombri di più facile integrazione nella produzione.

Texas Instruments mette a disposizione dei progettisti ulteriore documentazione tecnica su questo nuovo prodotto, sul package utilizzato (LGA) e sui modelli transistor PSpice.

Funzioni chiave e benefici offerti dal CSD18541F5

  • La Rdson bassissima di 54 mΩ per una tensione fra gate e source di 10 V (VGS) è del 90% inferiore ai tradizionali interruttori di carico a 60 V e garantisce una perdita di potenza ridotta.
  • Il piccolissimo package LGA da 1,53 mm per 0,77 mm per 0,35 mm è l’80% più piccolo dei tradizionali interruttori di carico nei package SOT-23, riducendo in tal modo lo spazio occupato sui circuiti stampati (PCB).
  • Il pitch su scheda è di 0,5 mm per facilitare i processi di produzione.
  • La protezione integrata da cariche elettrostatiche (ESD) protegge il gate MOSFET da sovratensioni.

CSD18541F5-420x269 CSD18541F5, MOSFET di potenza FemtoFET con RDSon del 90% inferiore

I MOSFET di potenza NexFET di TI migliorano l’efficienza energetica in circuiti di potenza, collegamenti in rete, alimentazioni industriali e di potenza. Questi dispositivi di potenza ad alta efficienza e ad alta frequenza offrono ai progettisti un facile accesso alle più avanzate soluzioni di conversione diretta di corrente DC/DC.

Per progettare un sistema completo di gestione della potenza è possibile utilizzare online il WEBENCH Power Designer di TI mentre progetti di potenza di riferimento sono scaricabili dalla libreria di progettazione di riferimento TI Designs.

Il nuovo CSD18541F5 utilizza un contenitore LGA a 3 pin ed è già in produzione in volumi.

www.ti.com

 

 

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