Nuovi MOSFET a canale N da 60V e 100 V con dimensioni ridotte per il settore automotive


Mosfet_Toshiba-420x300 Nuovi MOSFET a canale N da 60V e 100 V con dimensioni ridotte per il settore automotive

Toshiba Electronics Europe ha annunciato due nuovi MOSFET a canale N compatti per la commutazione del carico in applicazioni automotive. I dispositivi SSM3K341R da 60V e SSM3K361R da 100V forniscono una resistenza di ON al vertice di mercato e sono qualificati in base allo standard AEC-Q101. Componenti ideali per l’uso nella gestione dell’alimentazione, incluse le applicazioni di conversione DC-DC o di commutazione del carico, che sono di importanza crescente per i sistemi elettronici nei veicoli, in continuo sviluppo.

La domanda crescente da parte del mercato di LED a basso consumo ha dato luogo ad un aumento dei requisiti per i MOSFET a canale N che sono usati come interruttori per i driver dei LED. I MOSFET SSM3K341R e SSM3K361R di Toshiba con dimensioni ridotte soddisfano questa domanda grazie ai valori tipici di RDS(ON) (@VGS = 4.5V) di 36mΩ e di 65mΩ rispettivamente, all’avanguardia sul mercato. Inoltre, entrambi i dispositivi supportano una temperatura massima di canale di 175°C, che ne consente l’uso diffuso in una gamma di applicazioni automobilistiche.

Entrambi i nuovi dispositivi riducono la dissipazione di calore prodotta dalle perdite di accensione di circa il 65% rispetto ai precedenti prodotti di Toshiba. Inoltre, i MOSFET sono alloggiati in package SOT-23F compatti di tipo a connessioni piatte. Questi ultimi riducono l’ingombro su PCB di circa il 64% rispetto al package SOT-89 convenzionale, pur mantenendo un livello massimo di dissipazione di potenza di 2,4W.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

 

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