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TK3R1E04PL, TK3R1A04PL nuovi MOSFET a canale N da 40V ad alta efficienza


UMOS_Toshiba-1-420x300 TK3R1E04PL, TK3R1A04PL nuovi MOSFET a canale N da 40V ad alta efficienza

Toshiba Electronics Europe ha aggiunto due nuovi dispositivi a canale N alla propria famiglia U-MOS IX-H di MOSFET a commutazione ad alta efficienza e ad alta velocità. I dispositivi TK3R1E04PL e TK3R1A04PL possono aiutare i progettisti a migliorare le prestazioni e a ridurre il consumo di potenza in applicazioni di alimentazione come i convertitori DC-DC e i circuiti al lato secondario degli alimentatori SMPS di tipo AC-DC. I componenti TK3R1E04PL (in package TO-220) e TK3R1A04PL (in package TO-220SIS) presentano una VDSS massima di 40V e possono operare con tensioni di gate-source (VGSS) di +/-20V. Le rispettive correnti massime di drain in continua sono pari a 100A e 82A.

Entrambi i dispositivi sono caratterizzati da un basso valore tipico di resistenza di ON (RDS(ON)) di appena 2,5mΩ (@VGS=10V) e da una capacità di uscita tipica (COSS) di 1000pF. Queste caratteristiche assicurano un funzionamento efficiente nello stato di ON, una rapida commutazione e perdite ridotte.

Fornendo il miglior compromesso fra resistenza e capacità della propria categoria, i dispositivi TK3R1E04PL e TK3R1A04PL supportano prestazioni ed efficienza ottimali in applicazioni di alimentazione. Queste ultime includono i progetti di rettificatori sincroni, in cui la bassa carica in uscita (QOSS) riduce il contributo del dispositivo alla perdita di potenza del rettificatore.

I nuovi MOSFET operano con temperature di canale fino a 175°C, e la tecnologia U-MOS IX-H assicura un funzionamento stabile su un ampio intervallo di temperature e condizioni di carico.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

 

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