Da NXP i transistor di potenza RF Airfast 3 per le infrastrutture cellulari del futuro


NXP-Airfast-3 Da NXP i transistor di potenza RF Airfast 3 per le infrastrutture cellulari del futuro

NXP Semiconductors ha presentato la terza generazione dei propri prodotti Airfast che comprende quattro transistor LDMOS per macro base station. La nuova tecnologia Airfast 3 innalza il livello tecnologico essendo conforme ai severi requisiti di tutti gli standard wireless in vigore a banda larga istantanea ed in grado di coprire un’intera banda cellulare partendo da un singolo dispositivo.

La tecnologia Airfast 3 di NXP fornisce prestazioni elevate che sono un riferimento di mercato per quel che riguarda rendimento, guadagno, potenza RF in uscita e larghezza di banda del segnale, riducendo nel contempo l’ingombro necessario per erogare un livello prestabilito di potenza RF in uscita. In confronto a Airfast 2, la terza generazione del prodotto consente di raggiungere un rendimento superiore anche di 4 punti percentuali (53% di efficienza dello stadio finale e fino al 50% di efficienza del lineup), un incremento del 20% a livello di performance termica, una larghezza di banda dell’intero segnale fino a 90 MHz e un risparmio di spazio che può arrivare al 30%.

Il continuo perfezionamento degli amplificatori di potenza RF si rende necessario per ridurre le dimensioni delle base station cellulari“, ha dichiarato Paul Hart, Executive Vice President e General Manager della Business Unit RF Power di NXP, aggiungendo: “Le nostre soluzioni Airfast di terza generazione permettono prestazioni che sono un riferimento di mercato nel form factor , prestazioni necessarie per far progredire il mercato stesso”.

I quattro nuovi transistor di potenza RF LDMOS Airfast 3 progettati per architetture di amplificatori Doherty asimmetrici comprendono:

  • A3T18H450W23S: 1805 – 1880 MHz, potenza media di uscita RF 89 W, 17,2 dB guadagno, 51% efficienza
  • A3T18H360W23S: 1805 – 1880 MHz, potenza media di uscita RF 56 W, 17,5 dB guadagno, 53% efficienza
  • A3T21H450W23S: 2110 – 2200 MHz, potenza media di uscita RF 89 W, 15,5 dB guadagno, 49,5% efficienza
  • A3T26H200W24S: 2496 – 2690 MHz, potenza media di uscita RF 37 W, 16,3 dB guadagno, 50% efficienza

I nuovi transistor sono i primi prodotti Airfast ad essere alloggiati in package plastico con cavità d’aria che combinano eccezionali prestazioni RF con una più bassa resistenza termica che permette di ridurre significativamente la dissipazione di calore complessiva del sistema.

I nuovi transistor di potenza RF Airfast 3 sono attualmente in fase di campionamento; l’inizio della produzione su larga scala è previsto per il quarto trimestre 2016. Sono anche disponibili circuiti di riferimento per varie frequenze.

www.nxp.com/Airfast

 

 

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