Da Littelfuse la prima serie GEN2 di diodi Schottky SiC da 1200 V

In occasione di PCIM Europe 2017, Littelfuse ha presentato la prima serie GEN2 di diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) da 1200 V. Questi diodi al carburo di silicio sono i primi di una serie di prodotti basati sulla piattaforma tecnologica creata in collaborazione con Monolith Semiconductor.  Ulteriori prodotti al carburo di silicio basati sulla piattaforma tecnologica, compresi i MOSFET SiC da 1200 V, sono già in fase di produzione e se ne prevede l’immissione sul mercato in un futuro non lontano.  

I diodi Schottky SiC GEN2 sono disponibili con valore nominale di 1200 V per valori di corrente da 5 A a 10 A, in confezione TO-220-2L o TO-252-2L. Rispetto ai diodi di potenza bipolari standard al silicio, essi consentono ai progettisti di circuiti di ridurre drasticamente le perdite di commutazione, favorendo un aumento sostanziale dell’efficienza e della robustezza dei sistemi elettrico-elettronici. Essi sono in grado di gestire grandi correnti di sovratensione senza instabilità termica e di funzionare a temperature di giunzione più elevate rispetto agli altri prodotti al silicio. Inoltre, essi offrono i livelli di caduta di tensione in andata e carica capacitiva immagazzinata migliori della categoria. 

Le applicazioni tipiche dei diodi Schottky SiC serie GEN2 includono correzione del fattore di potenza (PFC), fasi di buck o boost nei convertitori CC-CC, diodi di ricircolo nelle fasi di inversione (alimentatori in modalità di commutazione, unità solari, UPS, trasmissioni industriali) e rettificazione dell’uscita ad alta frequenza; sono utili per tutte le applicazioni che richiedano miglioramenti in termini di efficienza, affidabilità e gestione termica. Avranno una particolare utilità per i progettisti e i produttori di alimentatori e trasmissioni industriali, invertitori solari, apparecchiature di saldatura e taglio al plasma e stazioni di caricamento EV/HEV. 

L’architettura dei dispositivi Schottky p-n uniti (MPS) dei nuovi diodi Schottky al carburo di silicio offre ai progettisti di circuiti una migliore capacità di resistenza alla sovratensione e una corrente di dispersione estremamente ridotta“, ha affermato Michael Ketterer, responsabile marketing della divisione Semiconduttori di potenza di Littelfuse.”Rispetto ai diodi di potenza tradizionali al silicio, questi diodi Schottky al carburo di silicio massimizzano la densità di potenza e l’efficienza dei convertitori, contribuendo al contempo a ridurre i costi a livello di sistemi“.

I diodi Schottky SiC serie GEN2 di Littelfuse offrono questi vantaggi chiave:

  • La carica immagazzinata capacitiva migliore nella categoria e il recupero inverso trascurabile li rende adatti alla commutazione di potenza ad alta frequenza. Inoltre, essi assicurano perdite di commutazione molto contenute e riducono lo sforzo sul commutatore opponente.
  • La caduta di tensione in andata migliore della categoria assicura basse perdite di conduzione. 
  • Una temperatura di giunzione massima di 175 °C offre un margine di progettazione maggiore e requisiti rilassati di gestione termica.

I diodi Schottky SiC serie GEN2 sono disponibili in confezione TO-220-2L (in tubi da 1.000 pezzi) o TO-252-2L (DPAK) (in nastri e bobine da 2.500 pezzi).  

www.littelfuse.com

 

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