Nuovi diodi Schottky al carburo di silicio da ON Semiconductor


I diodi Schottky in carburo di silicio da 650 V offrono prestazioni di commutazione superiori, maggiore efficienza, densità di potenza e costi di sistema inferiori.

ON Semiconductor ha ampliato il suo portafoglio di diodi SiC introducendo la sua ultima famiglia di diodi Schottky in carburo di silicio (SiC) da 650 V. La tecnologia all’avanguardia dei diodi in carburo di silicio offre capacità di commutazione più elevate con minori perdite di potenza e un semplice parallelismo tra dispositivi.

La nuova famiglia di diodi SiC da 650 V rilasciati da ON Semiconductor include i package con foro passante e a montaggio superficiale con correnti che vanno da 6 a 50 ampere. Tutti i diodi forniscono zero reverse recovery, bassa caduta di tensione diretta, stabilità in corrente, elevata capacità di sovratensione e coefficiente di temperatura positivo.

I nuovi diodi sono rivolti agli ingegneri che progettano Convertitori di Potenza per varie applicazioni, tra cui inverter solari fotovoltaici, caricabatterie EV / HEV, alimentatori per telecomunicazioni e data center, cercando di ridurre le dimensioni ed offrendo il massimo livello di efficienza possibile.

I dispositivi a 650 V con questa tecnologia combinano maggiore efficienza, maggiore densità di potenza, ingombro ridotto e maggiore affidabilità. Essi presentano una ridotta perdita di potenza a causa dell’intrinseca bassa caduta di tensione diretta (VF) e della carica di recupero inversa praticamente nulla. Il più rapido  tempo di recupero dei diodi SiC consente velocità di commutazione più elevate e quindi riduce le dimensioni di componenti magnetici e di altri componenti passivi, consentendo una maggiore densità di potenza e, in generale, circuiti con dimensioni più contenute. Inoltre, i diodi SiC sono in grado di sopportare correnti di sovratensione più elevate e offrono una grande stabilità nel loro intervallo di temperatura operativa da -55 a +175 ° C.

I diodi SiC Schottky di ON Semiconductor presentano una struttura di terminazione unica e brevettata che migliora l’affidabilità, la stabilità e la robustezza. Inoltre, i diodi offrono una maggiore energia da valanga, la più elevata capacità di commutazione induttiva non isolata (UIS) e le più basse correnti di perdita.

La nuova famiglia di diodi SiC di ON Semiconductor da 650 V integra anche gli attuali dispositivi SiC da 1200 V, offrendo così ai nostri clienti una gamma particolarmente ampia”, ha affermato Simon Keeton, Vicepresidente senior e Direttore generale della Business Unit MOSFET di ON Semiconductor. “Sfruttando le caratteristiche uniche dei materiali semiconduttori con ampio band gap, la tecnologia SiC offre vantaggi tangibili rispetto al silicio, con in più una robusta struttura che consente di realizzare applicazioni affidabili in ambienti difficili. I nostri clienti beneficeranno di circuiti più semplici, più efficienti e più piccoli, proprio grazie a questi nuovi dispositivi.

I diodi SiC da 650 V sono offerti in confezioni DPAK, TO-220 e TO-247 e hanno un prezzo da USD 1,30 a USD 14,39 cad. per ordini di 1.000 pezzi. ON Semiconductor presenterà questi e altri prodotti presso lo Stand 601 dell’Applied Power Electronics Conference (APEC) di San Antonio, Texas, il 4-8 marzo 2018.

www.onsemi.com

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