MOSFET SiC da 1200 V con ridottissima resistenza nello stato On


ONSemi_SiCDiodes-420x300 MOSFET SiC da 1200 V con ridottissima resistenza nello stato On

Progettati per superare le prestazioni dei MOSFET e IGBT in silicio per commutazione ad altissima velocità nei sistemi di conversione di potenza.

Littelfuse, in collaborazione con Monolith Semiconductor, società texana che sviluppa la tecnologia del carburo di silicio, ha aggiunto oggi due MOSFET in modalità di potenziamento, in carburo di silicio (SiC) da 1200 V, canale N, al suo portafoglio in espansione di dispositivi semiconduttori di potenza di prima generazione. Questi nuovi MOSFET SiC rappresentano gli ultimi prodotti nati dalla partnership strategica stretta nel 2015 tra Littelfuse e Monolith al fine di sviluppare semiconduttori di potenza per i mercati industriale e automobilistico.  L’annuncio è avvenuto presso lo stand Littelfuse dell’Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC 2018).

I MOSFET SiC LSIC1MO120E0120 e LSIC1MO120E0160 offrono  bassissimi livelli di resistenza nello stato On (RDSON),  rispettivamente di 120 e 160 milliohm. Questi MOSFET SiC sono progettati per l’impiego come interruttori di potenza in un’ampia gamma di sistemi di conversione di potenza, superando le prestazioni dei tradizionali MOSFET al silicio in termini di tensione di blocco, resistenza nello stato On e capacità di giunzione. Offrono inoltre una combinazione di elevate tensioni di esercizio e commutazione ad altissima velocità che le tradizionali soluzioni di transistor di potenza, come gli IGBT in silicio, con simili correnti nominali e package non possono eguagliare.

Le applicazioni tipiche per questi nuovi MOSFET SiC includono:

  • Veicoli elettrici
  • Macchinari industriali
  • Energia rinnovabile (ad es. invertitori solari)
  • Apparecchiature mediche
  • Alimentatori switching
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Trasmissioni di motori
  • Convertitori CC-CC ad alta tensione
  • Riscaldamento a induzione

Questi nuovi MOSFET SiC forniscono ai progettisti di convertitori di potenza un’alternativa all’avanguardia ai tradizionali transistor basati su silicio”, ha affermato Michael Ketterer, responsabile marketing prodotti della divisione Semiconduttori di potenza di Littelfuse. “Le loro intrinseche caratteristiche e le capacità di commutazione ad altissima velocità offrono numerose opportunità per ottimizzare progetti di vario genere con un aumento della densità di potenza, una maggiore efficienza e una riduzione del costo e del numero dei componenti”.

I nuovi MOSFET SiC da 1200 V presentano questi vantaggi chiave:

  • Una riduzione del numero dei componenti del filtro passivo garantisce un aumento della densità di potenza, per un design ottimizzato per applicazioni con maggior efficienza e frequenza operativa più alta.
  • La capacità di uscita e la carica di gate estremamente bassa, abbinata alla ridottissima resistenza nello stato On, consente una bassissima dissipazione di potenza, maggiore efficienza, riduzione della dimensione e sistema di raffreddamento più semplice.

Disponibilità

I MOSFET SiC LSIC1MO120E0120 e LSIC1MO120E0160 sono disponibili in confezioni TO-247-3L.

www.littelfuse.com

 

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