.

IEGT da 4,5 kV in formato press-pack con migliore resistenza alla rottura


IEGT_Toshiba-420x300 IEGT da 4,5 kV in formato press-pack con migliore resistenza alla rottura

Il nuovo formato del package assicura una resistenza alla rottura 1,7 volte più elevata rispetto ai package tradizionali in formato press-pack

Il nuovo package è stato sviluppato da Toshiba Electronics Europe  per migliorare ulteriormente la resistenza alla rottura del dispositivo, riducendo così la probabilità che si verifichino danni ai componenti e ai sistemi circostanti in caso di guasto al dispositivo.

Toshiba fornirà ulteriori dettagli sul nuovo package per i propri dispositivi IEGT da 4,5 kV in formato press-pack (PPI) in occasione di PCIM 2018 a Norimberga.

Il package è il risultato delle ricerche condotte per valutare il rapporto di volume ottimale dei materiali al suo interno. Tale rapporto è stato determinato attraverso la sperimentazione, durante la quale non si sono verificate né la distruzione della ceramica, né perdite di materiale.

In seguito a misurazioni accurate, il package si è rivelato in grado di sopportare 50 ore di modalità di guasto (SCFM) di cortocircuito. L’esperimento è stato eseguito con un chip IEGT cortocircuitato ogni 42 chip IEGT, in una posizione marginale corrispondente al caso peggiore.

Inoltre, i test di resistenza alla rottura, effettuati con un potenziale di 3200 V, hanno fornito valori di resistenza superiori di 1,7 volte rispetto a quelli dei dispositivi PPI standard.

I risultati della ricerca saranno illustrati da Raita Kotani e Georges Tchouangue in una presentazione Giovedì 7 giugno alle 11:15 in occasione di PCIM Europe 2018.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

 

Lascia un commento

Il tuo indirizzo email non sarà pubblicato. I campi obbligatori sono contrassegnati *

Questo sito usa Akismet per ridurre lo spam. Scopri come i tuoi dati vengono elaborati.