Power GaN, un mercato pronto al grande balzo


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Yole Développement, società di Ricerche e di Analisi di Mercato, prevede per i dispositivi di potenza GaN un fortissimo incremento per i prossimi anni con un fatturato che raggiungerà i 460 milioni di dollari entro il 2022, e con un CAGR del 79%. Un vero e proprio boom, se si considera che nel 2016 il mercato del Power GaN (vedi grafico) valeva appena 12 milioni di dollari.

Il mercato dei dispositivi Power in tecnologia GaN rimane piccolo rispetto al mercato dei semiconduttori Power che vale attualmente circa 30 miliardi di dollari USA“, afferma il Dr. Hong Lin, Technology & Market Analyst di Yole Développement (Yole). “Tuttavia, questa tecnologia, ha un enorme potenziale per la sua capacità di garantire soluzioni ad elevate prestazioni e nell’ambito di frequenze operative più elevate”.

Tra le numerose applicazioni, la società di ricerche di mercato parla di Lidar e di sistemi di potenza RF, applicazioni a media e bassa tensione. Attualmente la tecnologia GaN è l’unica soluzione esistente per soddisfare le loro specifiche esigenze.

Ad oggi le aziende che propongono soluzioni commerciali GaN sono ancora poche mentre sono tantissime, invece, le società che hanno intrapreso delle attività in questo campo; per questo motivo c’è da aspettarsi un boom produttivo nei prossimi anni. Durante il periodo 2016-2017, gli analisti di Yole hanno identificato molti investimenti a supporto dello sviluppo e dell’implementazione di dispositivi GaN.

Yole differenzia la catena produttiva GaN in due modelli principali: IDM (Integrated Device Manufacturer) e foundry. Entrambi i modelli coesisteranno per soddisfare i diversi bisogni del mercato, ad esempio nelle applicazioni industriali e di consumo, spiegano gli analisti di Yole nel rapporto Power GaN.

I produttori di dispositivi GaN continuano a sviluppare nuovi prodotti e a fornire campioni ai clienti, come nel caso di EPC e della sua linea di ricaricaricatori wireless, di cui è leader mondiale di mercato. Altri attori, come GaN Systems, vendono anche transistor GaN a bassa tensione.

Il modello di business è direttamente collegato all’applicazione finale. Oggi, molte domande relative all’integrazione dei chip e all’interfaccia del sistema, sono ancora in sospeso. E condizionano il rapporto commerciale tra le aziende GaN“. Afferma il Dr.  Ana Villamor, Technology & Market Analyst, Yole Développement.

System Plus Consulting, società del gruppo Yole, offre un’analisi dettagliata dei transistor GaN-on-Silicon nel suo nuovo report, GaN-on-Silicon Transistor Comparison.

L’azienda analizza le soluzioni GaN-on-Silicon esistenti, una panoramica che rappresenta lo stato dell’arte della tecnologia GaN-on-Silicon HEMT. L’analisi evidenzia le differenze tra i processi di progettazione e produzione con i relativi costi di produzione. I dispositivi analizzati da System Plus Consulting sono stati sviluppati dalle aziende leader: EPC, Texas Instruments, Panasonic, GaN Systems e Transphorm.

L’attuale mercato dei dispositivi GaN è principalmente dominato dai dispositivi < 200V mentre per i dispositivi a 600 V è attesa una rapida crescita. In ogni caso la quota di mercato dei dispositivi <200 V aumenterà nuovamente quando la tecnologia GaN inizierà a sostituire i MOSFET in diverse applicazioni e abiliterà nuove applicazioni “, commenta la Dr. Elena Barbarini, Project Manager, Power Electronics e Compound Semiconductors di System Plus Consulting. E aggiunge: “GaN-on-Silicon è stata una soluzione promettente fin dall’inizio, grazie alla compatibilità con CMOS e il costo ridotto”.

www.i-micronews.com

 

Arsenio Spadoni

Journalist, ElettronicaIn Publisher & Founder, Futura Elettronica Founder,

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