Toshiba sviluppa un diodo Schottky a bassa corrente inversa con prestazioni termiche migliorate


CUHS_Toshiba-420x300 Toshiba sviluppa un diodo Schottky a bassa corrente inversa con prestazioni termiche migliorate

Il nuovo formato di package assicura una riduzione della resistenza termica del 50% rispetto ai package USC tradizionali.

Toshiba Electronics Devices & Storage Europe annuncia il lancio del proprio nuovo diodo a barriera Schottky “CUHS10F60”. Il dispositivo è destinato ad applicazioni come il raddrizzamento e il blocco della corrente inversa nei circuiti di alimentazione.

Il nuovo CUHS10F60 presenta una bassa resistenza termica di 105°C/W con il proprio package US2H di nuova concezione che ha come codice “SOD-323HE”. La resistenza termica del package è stata ridotta di circa il 50% rispetto al package convenzionale USC, consentendo una progettazione termica più semplice.

Sono stati inoltre apportati ulteriori miglioramenti in termini di prestazioni nei confronti degli altri membri della famiglia di prodotti. Rispetto al diodo Schottky CUS04, la massima corrente inversa è stata ridotta di circa il 60%, fino a 40µA. Questo contribuisce ad assicurare un minor consumo di potenza nelle applicazioni in cui esso viene utilizzato. Inoltre, la sua tensione inversa è stata aumentata da 40V a 60V. Ciò estende, rispetto al dispositivo CUS10F40, la gamma di applicazioni nelle quali può trovare impiego.

Il CUHS10F60 è disponibile ed è in consegna in volumi a partire da oggi.

www.toshiba.semicon-storage.com

 

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