Microchip annuncia l’avvio della produzione di prodotti in Carburo di Silicio (SiC) per elettronica di potenza

Microchip annuncia, tramite la sua controllata Microsemi, l’avvio in produzione di una famiglia di dispositivi SiC di potenza in grado di offrire comprovata robustezza ed i vantaggi prestazionali della tecnologia wide bandgap. Complementati dall’ampia gamma di microcontrollori (MCU) di Microchip e dalle soluzioni analogiche, i dispositivi SiC si uniscono ad una crescente famiglia di affidabili prodotti SiC. Questi dispositivi soddisfano l’esigenza di migliorare l’efficienza energetica di sistema, la robustezza e la densità di potenza nei veicoli elettrici (EV) e in altre applicazioni ad alta potenza nei settori industriale, aerospaziale e difesa.

Aspetti salienti:

  • MOSFET da 700 V e Schottky Barrier Diode da 700 V e 1200 V estendono le opzioni per il cliente
  • Supporta la crescente domanda di maggiore efficienza e densità di potenza della tecnologia SiC
  • Switching efficiente a frequenze più elevate e affidabilità a lungo termine
  • Miglioramento del 20 percento rispetto ad altri diodi SiC nei test di robustezza UIS

I MOSFET SiC da 700 V e i Schottky Barrier Diode (SBD) da 700 V e 1200 V di Microchip vanno ad ampliare il portfolio esistente di moduli di potenza SiC. Gli oltre 35 prodotti discreti che sono stati aggiunti al portfolio Microchip sono disponibili in volumi, supportati da completi servizi di sviluppo, strumenti e schemi di riferimento, e offrono eccezionale robustezza dimostrata da test rigorosi. L’ampia famiglia di SiC, moduli discreti e di potenza è disponibile in un’ampia gamma di tensioni, correnti nominali e tipi di package. 

I MOSFET e SBD SiC di Microchip offrono commutazioni più efficienti a frequenze più elevate e superano i test di robustezza a livelli considerati critici per garantire affidabilità a lungo termine. Gli SBD SiC della società offrono performance di circa il 20% più elevate rispetto agli altri diodi SiC in questi test di robustezza Unclamped Inductive Switching (UIS) che misurano quanto i dispositivi resistano al degrado o a guasti prematuri che si verificano quando un picco di tensione supera la tensione di rottura del dispositivo. I MOSFET SiC di Microchip in questi test di robustezza superano anche le alternative, dimostrando un’eccellente schermatura dell’ossido di gate ed integrità di canale con una scarsa degradazione dei parametri durante il ciclo di vita anche dopo 100.000 cicli di Repetitive UIS (RUIS).

Microchip è uno dei pochi fornitori a poter offrire una gamma di soluzioni sia al silicio che SIC discreti e moduli. I prodotti dell’azienda sono ideali per le esigenze del crescente numero di sistemi EV tra cui stazioni di ricarica esterne, caricabatterie integrati, convertitori DC-DC e soluzioni di controllo propulsione/trazione. I nuovi dispositivi SiC sono supportati dalla abituale pratica di obsolescenza guidata dai clienti Microchip, che garantisce che i dispositivi continueranno a essere prodotti fino a quando i clienti ne avranno bisogno.

L’ampio portfolio SiC è supportato da una gamma di modelli SiC SPICE, schemi di riferimento per la scheda driver SiC ed un progetto di riferimento Power Factor Correction (PFC). Tutti i prodotti SiC dell’azienda sono disponibili in quantità per volumi di produzione insieme alle relative offerte di supporto. Per i MOSFET SiC e i diodi SiC sono disponibili diverse opzioni die e package.

Maggiori informazioni su: www.microsemi.com/sic

 

 

 

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