Toshiba estende la gamma di MOSFET di potenza DTMOS IV con diodi ad alta velocità
Toshiba Electronics Europe ha ampliato la sua gamma di MOSFET DTMOS IV da 600 V con diodi ad alta velocità integrati (HDS, High Speed Diode) per realizzare alimentatori ad alta efficienza e azionamenti elettrici con topologia a ponte o a mezzo… continua a leggere Leggi il seguito