ST e Leti per applicazioni di conversione di potenza con tecnologia GaN-on-Silicon

La collaborazione si propone di sviluppare e industrializzare architetture avanzate di diodi e transistor di potenza GaN-on-Si. La tecnologia di processo, che usufruisce dei risultati del programma IRT Nanoelec, sarà trasferita dalla linea… continua a leggere Leggi il seguito