Ora Arrow distribuisce anche i prodotti RF e Power in tecnologia SiC e GaN di Wolfspeed

Arrow Electronics ha annunciato l’ampliamento dell’accordo di distribuzione con la divisione Wolfspeed di Cree. Il nuovo accordo posiziona Arrow Electronics come il più grande distributore globale per i prodotti al carburo di silicio (SiC)… continua a leggere Leggi il seguito

Nuova gamma LMG341x di stadi di potenza GaN da 600 V per applicazioni fino a 10 kW

Con alle spalle oltre 20 milioni di ore di test, il dispositivo FET GaN ad alta tensione con driver e protezione integrata raddoppia la densità di potenza nelle applicazioni industriali e per telecomunicazioni. Texas Instruments (TI) ha… continua a leggere Leggi il seguito

I prodotti Power di ON Semiconductor per l’industra e l’automotive in mostra a PCIM Europe

Ultime innovazioni della tecnologia Wide Band Gap, Intelligent Power Modules, oltre a strumenti e risorse per facilitare l’adozione dei nuovi prodotti in mostra a PCIM Europe. Tecnologie e dispositivi Wide Band Gap (WBG) sono stati i… continua a leggere Leggi il seguito

Il futuro dell’elettronica di potenza allo stand di Analog Devices a PCIM 2018

PCIM – la più importante manifestazione europea  dedicata all’elettronica di potenza – è alle porte e lo stand di Analog Devices (Hall 6, stand 446) è una delle tappe d’obbligo: i visitatori avranno l’opportunità di vedere… continua a leggere Leggi il seguito

Da Arrow Electronics Training Application SiC & GaN, a Verona il 10 luglio

Le ultime novità in ambito SiC & GaN di prodotti e tecnologie, nonché le roadmap future: una giornata – organizzata da Arrow Electronics – che prevede interventi di formazione e uno spazio espositivo con la possibilità di incontrare i… continua a leggere Leggi il seguito

GaN Systems introduce piattaforme di valutazione per transistor GaN e E-HEMT

La società canadese GaN Systems lancia una serie di board di espansione per la sua scheda madre universale (GS665MB-EVB) che consentono ai progettisti di elettronica di potenza di valutare con facilità le prestazioni dei transistor realizzati… continua a leggere Leggi il seguito

LMG3410, stadio di potenza FET al GaN da 600V che rivoluziona la conversione di potenza

Leader da decenni nell’innovazione applicata alla gestione della potenza, Texas Instruments annuncia la disponibilità di un innovativo stadio di potenza con transistor a effetto di campo (FET) da 70 mΩ al nitruro di gallio (GaN) a 600 V,… continua a leggere Leggi il seguito