IGBT Archivi - Elettronica In

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Moduli di potenza XHP 3 a 3,3 kV per inverter compatti e scalabili

14/04/201914/04/2019 Arsenio Spadoni 82 Views 0 Commenti IGBT, Infineon, XHP 3

Infineon Technologies estende il suo ampio portafoglio di dispositivi ad alta tensione con una nuova unità: XHP 3. Si tratta di una nuova flessibile piattaforma di moduli IGBT per applicazioni ad alta potenza nel campo di tensione da 3,3 kV… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende News Aziende Prodotti Semiconduttori

IGBT avanzati ottimizzati per Soft Switching migliorano l’efficienza negli elettrodomestici

30/03/201930/03/2019 Arsenio Spadoni 455 Views 0 Commenti IGBT, STGWA40IH65DF, STGWA50IH65DF, STMicroelectronics

Ottimizzati per le migliori prestazioni di conduzione e commutazione nei circuiti di commutazione software, gli IGBT STGower STGWA40IH65DF e STGWA50IH65DF 650V STPOWER di STMicroelectronics aumentano l’efficienza energetica dei convertitori… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende News Aziende Prodotti Semiconduttori

UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750: gate driver isolati con rilevamento integrato per IGBT e MOSFET SiC

15/03/201916/03/2019 Redazione 241 Views 0 Commenti IGBT, MOSFET, SiC, Texas Instruments, UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750

I nuovi gate driver di TI offrono monitoraggio e protezione avanzati migliorando al contempo l’efficienza totale del sistema nelle applicazioni automobilistiche e industriali. Texas Instruments ha presentato oggi diversi nuovi gate driver… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori

Fino a 600A con il nuovo modulo IGBT half-bridge di Littelfuse

28/09/2016 Redazione 346 Views 0 Commenti IGBT, Littelfuse, MG12600WB-BR2MM

Littelfuse presenta la serie MG12600WB-BR2MM, l’ultima novità della linea di semiconduttori di alimentazione IGBT. La nuova serie di moduli IGBT half-bridge da 600 A e 1200 V offre ai progettisti una corrente nominale superiore rispetto al… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori

IGBT da 1200 V basati sulla terza generazione della tecnologia Ultra Field Stop Trench

10/05/2016 Redazione 316 Views 0 Commenti IGBT, On Semiconductor, Ultra Field Stop Trench

ON Semiconductor ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) che utilizzano la tecnologia proprietaria Ultra Field Stop Trench dell’azienda. I componenti NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG e… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori

Elevata efficienza energetica per il nuovo IGBT TRENCHSTOP di Infineon

28/04/201629/04/2016 Arsenio Spadoni 359 Views 0 Commenti IGBT, Infineon Technologies, TRENCHSTOP

Infineon Technologies ha lanciato l’IGBT TRENCHSTOP da 600V, un prodotto che offre un livello di efficienza energetica al vertice della sua categoria. L’elevata efficienza energetica si accompagna ad un prezzo competitivo rendendo questo… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori

TB9150FNG, circuito integrato optoisolato per il prepilotaggio di IGBT destinati a veicoli elettrici e ibridi

28/04/201628/04/2016 Redazione 411 Views 0 Commenti IGBT, TB9150FNG, Toshiba Electronics Europe

Toshiba Electronics Europe ha annuncito la disponibilità di un circuito integrato optoisolato per il prepilotaggio del gate di IGBT con funzioni di protezione migliorate per la realizzazione di inverter destinati a veicoli elettrici e ibridi…. continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori

AUIRGP66524D0 e AUIRGF66524D0, robusti IGBT da 600V per l’impiego nei veicoli elettrici e ibridi

15/12/201415/12/2014 Redazione 255 Views 0 Commenti IGBT, International Rectifier

International Rectifier ha presentato gli IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) da 600 V qualificati per applicazioni automobilistiche AUIRGP66524D0 e AUIRGF66524D0, che sono stati ottimizzati per pilotare i piccoli motori ausiliari presenti… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori

Gen8, la nuova famiglia di IGBT da 1200 V di IR per applicazioni industriali

12/12/201412/12/2014 Redazione 318 Views 0 Commenti Gen8, IGBT, International Rectifier

International Rectifier, ha presentato una nuova piattaforma tecnologica per la realizzazione di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). La piattaforma di ottava generazione (Gen8) per la realizzazione di IGBT da 1200 V sfrutta le… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori

Da IR una nuova famiglia di moduli IGBT di alta potenza

06/11/201416/11/2014 Redazione 274 Views 0 Commenti IGBT, International Rectifier

International Rectifier ha presentato una nuova famiglia di moduli IGBT di elevata potenza per applicazioni industriali quali inverter per controllo motori, alimentatori switching (STMPS), gruppi di continuità (UPS), inverter solari e stazioni… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori Tecnologia

IR amplia la gamma di IGBT Trench ultraveloci da 650 V

17/10/201427/10/2014 Redazione 263 Views 0 Commenti IGBT, International Rectifier, Trench

International Rectifier ha ampliato la sua gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) con l’introduzione di una famiglia di robusti e affidabili dispositivi da 650 V ottimizzati per la commutazione ad alta velocità, che si rivelano… continua a leggere Leggi il seguito

Aziende Elettronica Semiconduttori

GT40QR21, nuovo IGBT compatto e integrato per sistemi di riscaldamento a induzione

04/11/201104/11/2011 Redazione 397 Views 0 Commenti IGBT, Toshiba Electronics

Toshiba Electronics Europe (TEE) estende la serie di IGBT compatti e integrati con un commutatore ad alta velocità in grado di semplificare il progetto e ridurre il numero dei componenti in elettrodomestici da cucina e altre applicazioni con… continua a leggere Leggi il seguito