MOSFET di potenza a canale N da 40V/45V con la più bassa resistenza di ON sul mercato

Toshiba Electronics Europe ha ampliato la propria serie U-MOS IX-H di MOSFET di potenza a canale N con i nuovi prodotti da 40V e da 45V che forniscono i valori più bassi di resistenza di ON sul mercato e prestazioni di velocità elevate. I… continua a leggere Leggi il seguito

Toshiba estende il raffreddamento su due lati per i MOSFET di potenza da 60 V

Toshiba Electronics Europe ha esteso la propria gamma di MOSFET U-MOS IX-H con un dispositivo a canale N alloggiato in un package SMD ‘DSOP Advance’ che offre la possibilità di raffreddamento su due lati. Il componente  TPW1R306PL… continua a leggere Leggi il seguito