Toshiba lancia una serie di MOSFET con clamp attivo per il pilotaggio dei relè

Dimensioni compatte, bassa resistenza e qualifica AEC-Q101 per impiego in ambito automotive. Toshiba Electronics Europe ha annunciato il lancio di una nuova serie di MOSFET che incorpora una struttura a clamp attivo con un diodo integrato tra… continua a leggere Leggi il seguito

Toshiba presenta la serie di MOSFET planari di prossima generazione a 600V

Toshiba Electronics Europe ha annunciato oggi il lancio di una nuova serie di MOSFET planari a 600V, noti come “π-MOS IX”. La nuova serie è pensata per alimentatori di piccole e medie dimensioni come quelli che si trovano nei PC notebook,… continua a leggere Leggi il seguito

MOSFET da 40V e 60V basati sull’ultima generazione di processo Trench

Toshiba Electronics Europe ha annunciato nuovi MOSFET di potenza da 40V e da 60V basati sul processo Trench U-MOS-IX-H su semiconduttore di ultima generazione. I MOSFET TK3R1P04PL, TK4R4P06PL e TK6R7P06PL a canale N possono essere pilotati da… continua a leggere Leggi il seguito

LTC7003, driver veloce protetto fino a 60V per MOSFET a canale N sul lato alto

Analog Devices annuncia l’LTC7003, un driver per MOSFET a canale N ad alta velocità per il lato alto che funziona con una tensione di alimentazione fino a 60V. La pompa di carica interna abilita uno switch esterno per MOSFET a canale N in… continua a leggere Leggi il seguito

LTC7000/-1, driver da 150V protetto sul lato alto per MOSFET a canale N

Analog Devices annuncia l’LTC7000/-1, un driver per MOSFET a canale N che funziona con una tensione di alimentazione fino a 150V. La pompa di carica interna consente a uno switch esterno per MOSFET a canale N di rimanere costantemente acceso…. continua a leggere Leggi il seguito

MOSFET di potenza a canale N da 40V/45V con la più bassa resistenza di ON sul mercato

Toshiba Electronics Europe ha ampliato la propria serie U-MOS IX-H di MOSFET di potenza a canale N con i nuovi prodotti da 40V e da 45V che forniscono i valori più bassi di resistenza di ON sul mercato e prestazioni di velocità elevate. I… continua a leggere Leggi il seguito

G3VM-61VY2 e G3VM-351VY, nuovi relè MOSFET potenziati e convenienti

Omron Electronic Components Europe ha lanciato due nuovi relè MOSFET per commutazioni di uso generico, economicamente vantaggiosi e con prestazioni elevate, che includono anche una maggiore rigidità dielettrica. Questi dispositivi per impieghi… continua a leggere Leggi il seguito

Moduli IPM nano SLLIMM con maggior efficienza, flessibilità e potenza fino a 100W

Facendo ricorso ai MOSFET da 500 V di nuova generazione in grado di garantire un più elevato livello di efficienza, STMicroelectronics ha ampliato la serie di moduli Intelligent Power Modules (IPM) nano SLLIMM per il pilotaggio di motori,… continua a leggere Leggi il seguito

Da Omron il più piccolo relè MOSFET del mondo per carichi fino a 1,5A

Omron Electronic Components Europe ha presentato quello che probabilmente è il più piccolo relè MOSFET in assoluto: con un ingombro di soli 2.9mm² è in grado di gestire un carico di 1,5A. Studiato per aiutare i progettisti a limitare il… continua a leggere Leggi il seguito

TK160F10N1L, MOSFET di potenza 100V/160A con ridotta tensione di soglia Vth

Toshiba Electronics Europe ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza da 100V e 160A che è caratterizzato da una specifica più restrittiva sulla tensione di soglia (Vth) rispetto ai dispositivi precedenti. Una specifica più restrittiva sulla… continua a leggere Leggi il seguito