MOSFET a canale N a bassissima resistenza di ON riducono del 40% la dissipazione di calore

Toshiba Electronics Europe ha introdotto due MOSFET a canale N per l’interruzione di carico nei dispositivi mobili, i quali forniscono una bassa resistenza di ON ai vertici della propria categoria. I dispositivi SSM6K513NU e SSM6K514NU… continua a leggere Leggi il seguito