MOSFET da 40V e 60V basati sull’ultima generazione di processo Trench

Toshiba Electronics Europe ha annunciato nuovi MOSFET di potenza da 40V e da 60V basati sul processo Trench U-MOS-IX-H su semiconduttore di ultima generazione. I MOSFET TK3R1P04PL, TK4R4P06PL e TK6R7P06PL a canale N possono essere pilotati da… continua a leggere Leggi il seguito