IGBT da 1200 V basati sulla terza generazione della tecnologia Ultra Field Stop Trench
ON Semiconductor ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) che utilizzano la tecnologia proprietaria Ultra Field Stop Trench dell’azienda. I componenti NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG e… continua a leggere Leggi il seguito