Ultra Field Stop Trench Archivi

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IGBT da 1200 V basati sulla terza generazione della tecnologia Ultra Field Stop Trench

10/05/2016 Redazione 196 Views 0 Commenti IGBT, On Semiconductor, Ultra Field Stop Trench

ON Semiconductor ha introdotto una nuova serie di transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) che utilizzano la tecnologia proprietaria Ultra Field Stop Trench dell’azienda. I componenti NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG e… continua a leggere Leggi il seguito

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Arrow Electronics distribuisce nell’area #EMEA i prodotti GaN Systems, società leader a livello mondiale nei semiconduttori di potenza #GaN. @ArrowEurope @GaNSystems bit.ly/2OCqlT0 pic.twitter.com/pCPz…

Renesas Electronics presenta soluzioni avanzate per lo sviluppo di telecamere per impiego automobilistico che utilizzano lo strumento #AutoCDK di #MMSolutions. #automotive #ADAS #R_Car_V3M e #R_Car_V3H #openISP @Renesas_Europe @Renesas_Japan bit.ly/2xjaVMP pic.twitter.com/0C8L…

C’è anche un #MetalDetector di piccole dimensione dai molteplici impieghi tra i progetti proposti sul numero 228, Settembre 2018, attualmente in edicola. Non perdere questo fascicolo! bit.ly/2oqHbsB pic.twitter.com/Waij…

Un unico, grande, stand per tutte le Business Unit di Avnet a electronica 2018. #ele18 @Avnet @Avnet_Abacus @AvnetSilica @EBVElektronik @FarnellNews @element14 @electronicaFair bit.ly/2NlZhut pic.twitter.com/fIPp…